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2、应用场合不同，陶瓷电容器容量小，高频特性好，使用温度可以达到几百上千度，价格不高。一般用在旁路，滤波应用；薄膜电容器价格较高，稳定性较好，耐电压电流能力很突出，但容量一般不超过1mF，一般用来降压，耦合。高压薄膜电容器与高压陶瓷电容器的区别：1、高压陶瓷电容的使用寿命更长tdk电容陶瓷电容有没有方向，瓷片电容属于陶瓷电容的一种。贴片式电容有贴片式陶瓷电容、贴片式钽电容、贴片式铝电解电容。瓷片电容是属于无极性电容，因此这种电容在安装过程中不需要区分正负极tdk电容

去藕，又称解藕。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻(特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹)，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。。而对于普通常见级性电解电容器来说，则可以看其两个脚长短，长的是+，短的是-。贴片式钽电解电容器一般是可以根据其外观来判断，有色带的一边是正极。其它无极性电解电容器、涤沦电容器、瓷片电容器、可变和微调电容器都没有正负极之分。tdk电容3、多层陶瓷电容器，多层陶瓷电容器是片式元件中应用最广泛的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合tdk电容

将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10uF或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，可贴装于印制电路板（PCB）、混合集成电路（HIC）基片，有效地缩小电子信息终端产品（尤其是便携式产品）的体积和重量，提高产品可靠性。

tdk电容陶瓷电容分类，陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式。按照介质不同可分为类I瓷介电容和II类瓷介I电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容tdk电容3、相对而言高压陶瓷电容器的电压更高，薄膜电容器的电容相对来讲，工作电压是不如陶瓷电容的高，这是共识；4、从容量分析，高压陶瓷电容的容量较小，薄膜电容的容量较大。陶瓷电容相比薄膜电容的优势。1、高压陶瓷电容器的尺寸更小。以同样电压等级的一个产品为例。如果要做一颗容量为1NF，工作电压为10KVAC的高压电容器，如果用高压陶瓷电容器来生产。可以有好几个选择：比方说以Y5U材质来生产，最终产品直径为8.5MM，厚度6.0MM.，X7R，X5R，Y5U，Y5V是II类瓷介电容，I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等。