深圳TDK电容哪里有

由于近年来PC的频率越来越高，功耗随之增大，这对于CPUMemoryPCIEXPressdevices供电部分的电容的要求就越来越高。而传统的液态铝电解电容器无论阻抗再低，总依然会存在发热，当温度升高到一定程度时，电容器内部蒸汽压增大。此时滤波与稳压的电容功能也会不断降低甚至因为温度的持续攀升，进而产生鼓凸漏液的情况因而发生(通常大家所说的“电容爆浆”)，往往因为故障的并联电容造成主板的运行不正常，甚或完全无法运行而需要送修。TDK电容通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器TDK电容

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150000uF之间的铝电解电容器(如EPCOS公司的B43504或B43505)是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。TDK电容3、多层陶瓷电容器，多层陶瓷电容器是片式元件中应用最广泛的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合TDK电容

陶瓷电容按频率特性分有：高频瓷介电容器（1类瓷）；低频瓷介电容器（2类瓷）；交流瓷介电容器，按耐压区分有高压瓷介电容器（1KVDC以上）和低压瓷介电容器（500VDC以下）。一：高频瓷介电容器（亦称1类瓷介电容器）该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小，（tanδ≤0.15%，f=1MHz），最高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，可贴装于印制电路板（PCB）、混合集成电路（HIC）基片，有效地缩小电子信息终端产品（尤其是便携式产品）的体积和重量，提高产品可靠性。

TDK电容2、高压陶瓷电容器，高压陶瓷电容器的瓷料主要有钛酸钡基和钛酸锶基两大类。钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压特性较好的优点，但也有电容变化率随介质温度升高、绝缘电阻下降等缺点TDK电容陶瓷电容的容量通常是不能太大，而钽电解电容能达到，但也退偶的比较多。陶瓷电容是一款相对实惠的电容器，尤其扁圆插件的陶瓷电容便宜，且许多常规家用电器能用到。近年来随着技术不断升级，陶瓷电容的容量也越做越大，还产生除了4UF的陶瓷电容，陶瓷电容也正在渐渐走上主流，代替了钽电解电容。。钛酸锶晶体的居里温度为-250℃，在常温下为立方晶系钙钛矿结构，是顺电体，不存在自发极化现象，在高电压下钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化小，tgδ及电容变化率小，这些优点使其作为高压电容器介质是十分有利的。