佛山MURATA电容官方授权一级代理

薄膜电容的寿命也就是三两年，电好的产品也不会超出5年。而高压陶瓷电容器则不同，比方说帝科电容就公开承诺：按20年设计，至少保证使用10年。2、高压陶瓷电容的内阻更小，这是由各自的构造特点决定的。高压陶瓷电容器的内阻很小，而薄膜电容器由于是采取卷绕方式，这样就造成内阻偏大。而这种偏大的内阻带来的另一负面影响就是，电容在反复充放电的过程中，内阻会继续变大，并且会在一定时候使电容在电路中失效。

MURATA电容二：低频瓷介电容器（亦称2类瓷介电容器）该类瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽MURATA电容

，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。国标型号为CT1（低压）和CT81（高压）。由于其自身温升小，频率特性较好，因而可以用于频率较高的场合。1.外部套筒，如果在有机溶液中浸；过后有曝露在高温之中，覆盖在电容器表面的套筒可能会破裂，贴片电容的外部材料通常采用聚录乙烯材料，但这层套筒仅仅只是用于标注目的而非用于绝缘。2.特殊的工作环境，如果在含有高密度卤素化合物以及在PCB板的清洁使用，贴片电容将逐渐显示出腐蚀性，在PCB板清洁这种情况中，在特性环境中使用时，请与我们联系。

MURATA电容陶瓷电容器的作用，旁路（去耦），这是为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗的通路。在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容器所处的位置不同，称呼就不一样如果以温度特性更好的Y5P材料来做，直径16MM，厚度6.0MM.这两种材料基本上可以根据不同应用环境而满足电力设备的各项要求。但是，如果以高压薄膜电容来生产，尺寸，厚度和高度都将大出很多，无法满足实际应用要求。2、高压陶瓷电容器和高压薄膜电容器的电压等级不在同一个档次上。高压陶瓷电容器电压最高达10KV，15KV.20KV，30KV。而薄膜的最大电压不到10KV。但是高压薄膜电容器要实现比陶瓷电容电压高的话，就要把产品做到很大了才能达到。。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，

MURATA电容3.陶瓷电容器储存的存储条件。答：电容器存放在干燥地方，防潮湿，防化学物质，防火。一般在常温下约25℃±5℃，湿度65%±10%条件下储存一年，是不会影响电容的电气特性MURATA电容固体钽电容器是1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的，它的性能优异，是所有电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品。钽电容器外形多种多样，并容易制成适于表面贴装的小型和片型元件。适应了目前电子技术自动化和小型化发展的需要。虽然钽原料稀缺，钽电容价格较昂贵，但由于大量采用高比容钽粉（30KuF.g-100KuF.V/g），加上对电容器制造工艺的改进和完善，钽电解电容器还是得到了迅速的发展，使用范围日益广泛。。湿度大于90%，绝缘性能就会下降，耐电压也会降低。电容器使用时都有连接到电源，操作不当，电容器会受损。且有强大的电流产生，一般是在专业人员的陪同下，按照IEC60384或GB/T6346等国标操作。